SK하이닉스가 업계 최고 수준의 전력 효율을 갖춘 10나노급 8기가비트(Gb) DDR4 D램을 개발했다.

SK하이닉스는  2세대 10나노급(1y) 미세공정을 적용한 8Gb DDR4 D램을 개발했다고 12일 밝혔다.

2세대 제품은 1세대(1x) 대비 생산성이 약 20% 향상됐고 전력 소비도 15% 이상 감축했다. 데이터 전송 속도 또한 DDR4 규격이 지원하는 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적으로 구현할 수 있다.

이 제품에는 데이터 전송 속도 향상을 위해 ‘4Phase Clocking’ 설계 기술을 적용했다. 이는 데이터 전송 시 주고 받는 신호를 기존보다 두 배로 늘려 제품의 동작 속도와 안정성을 높인 기술이다.

SK하이닉스는 전력소비를 줄이고 데이터 오류발생 가능성을 낮추기 위해 독자적인 ‘센스 앰프(Sense Amp) 제어 기술’도 도입했다. 이는 D램 셀에 작은 전하 형태로 저장된 데이터를 감지하고 증폭시켜 외부로 전달하는 기술인 ‘센스 앰프’의 성능을 높이는 기술이다.

D램에서는 공정이 미세화될수록 트랜지스터의 크기가 줄어 데이터 감지 오류 발생 가능성이 높아진다. SK하이닉스는 이 같은 문제를 극복하기 위해 트랜지스터의 구조를 개선해 오류 발생 가능성을 낮췄다.

또한 데이터 증폭·전달 기능을 하는 회로에 전력 소모가 낮은 내부 전원을 추가해 동작에 필요한 만큼의 전력만을 공급해 불필요한 전력 사용을 방지했다.

DRAM마케팅담당 김석 상무는 “이번에 개발 완료된 2세대 10나노급 DDR4는 고객이 요구하는 성능과 용량을 모두 갖춘 제품으로 내년 1분기부터 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응할 것”이라고 말했다.